許會(huì)芳--簡(jiǎn)介
發(fā)布時(shí)間:2024-04-09 發(fā)布者: 點(diǎn)擊:
■許會(huì)芳,女,1979年2月生,電氣與電子工程學(xué)院副教授、博士,碩士生導(dǎo)師
■研究方向:新型納米器件的模型研究
■辦公地點(diǎn):龍湖校區(qū)致知樓B311室
■通訊方式:xuhf@ahstu.edu.cn
■ 主講課程
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《通信原理》、《集成電路設(shè)計(jì)》
■ 教學(xué)研究項(xiàng)目
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1.省級(jí)重點(diǎn)教研項(xiàng)目1項(xiàng):基于OBE理念構(gòu)建電子信息工程專(zhuān)業(yè)教學(xué)質(zhì)量監(jiān)控體系理論探索與實(shí)踐創(chuàng)新研究;2020jyxm1378;主持,二類(lèi)類(lèi)教研項(xiàng)目。
2.省級(jí)一般教研項(xiàng)目1項(xiàng):“互聯(lián)網(wǎng)+”背景下電子類(lèi)專(zhuān)業(yè)核心課混合式教學(xué)方法的研究及過(guò)程性評(píng)價(jià)指標(biāo)的構(gòu)建;2017jyxm0361;主持,三類(lèi)類(lèi)教研項(xiàng)目。
3. 省級(jí)智慧課堂項(xiàng)目1項(xiàng):通信原理;2018zhkt105;主持,二類(lèi)類(lèi)教研項(xiàng)目。
4. 省級(jí)線上教學(xué)優(yōu)秀課堂1項(xiàng):通信原理;2020xskt111;主持,二類(lèi)類(lèi)教研項(xiàng)目。
5. 省級(jí)課程思政示范課程1項(xiàng):通信原理;2021kcszsfkc107;主持,二類(lèi)類(lèi)教研項(xiàng)目。
6. 省級(jí)虛擬仿真實(shí)驗(yàn)教學(xué)項(xiàng)目1項(xiàng):基于“互聯(lián)網(wǎng)+”在線平臺(tái)的通信系統(tǒng)設(shè)計(jì)虛擬仿真實(shí)驗(yàn)教學(xué)項(xiàng)目;2021xnfzxm025;主持,二類(lèi)類(lèi)教研項(xiàng)目。
7. 省級(jí)教學(xué)示范課1項(xiàng):通信原理,2021.1-2022.12,主持,三類(lèi)
■ 科學(xué)研究項(xiàng)目
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1.安徽高校自然科學(xué)研究重點(diǎn)項(xiàng)目:基于TFET的新型電荷俘獲型存儲(chǔ)器的研究,KJ2017A502,總經(jīng)費(fèi)6萬(wàn)元,研究周期:2017.01-2018.12,主持,三類(lèi)科研項(xiàng)目。
2.產(chǎn)學(xué)研橫向合作項(xiàng)目:基于SMIC 40nm LL的10bit 8通道ADC模塊設(shè)計(jì),總經(jīng)費(fèi)90萬(wàn)元,研究周期:2022.11-2024.11,主持,二類(lèi)科研項(xiàng)目。
3.安徽省一般人才項(xiàng)目:鐵電TFET器件的模型研究及其在新型存儲(chǔ)器中的應(yīng)用分析, gxyq2018048,總經(jīng)費(fèi)3萬(wàn),研究周期:2018.01-2019.12,主持,四類(lèi)科研項(xiàng)目。
■ 論文、論著
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1. Hui-Fang Xu?, Wen Sun, and Na Wang. Extended-source broken gate Tunnel FET for improving direct current and analog radio-frequency performance.Chinese Physics B, 2021,7(30):078503-1 - 078503-7.(SCI).
2. Hui-Fang Xu?, Xin-Feng Han, and Wen Sun.Design and investigation of dopingless double-gate line tunneling transistor: Analog performance, linearity, and harmonic distortion analysis.Chinese Physics B, 2020,10(29):18502-1 - 18502-10. (SCI)
3. Hui-Fang Xu?, Jian Cui, Wen Sun, and Xin-Feng Han.Analysis of a non-uniform hetero-gate-dielectric dual-material control gate TFET for suppressing ambipolar nature and improving radio-frequency performance.Chinese Physics B, 2019,10(28):108501-1-108501-8. (SCI)
■ 各類(lèi)成果
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1.發(fā)明專(zhuān)利:許會(huì)芳等.2020110938729. 一種用于MOSFET器件生產(chǎn)的焊接裝置。
2. 發(fā)明專(zhuān)利:許會(huì)芳等.2020110938767. 一種用于MOSFET器件生產(chǎn)的封裝裝置。
3. 發(fā)明專(zhuān)利:許會(huì)芳等.2022107104294. 一種基于TFET器件的生物傳感器及其制作方法。